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SUP60N06-18中文资料

厂家型号

SUP60N06-18

文件大小

333.2Kbytes

页面数量

2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

MOSFET 60V 60A 120W

数据手册

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生产厂商

Inchange Semiconductor Company Limited

简称

ISC无锡固电

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

LOGO

SUP60N06-18数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Drain Current -ID= 60A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 18mΩ(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·Motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

SUP60N06-18产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SUP60N06-18

  • 功能描述

    MOSFET 60V 60A 120W

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-5-18 14:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
BQ
24+
SMD
8000
VISHAY
2020+
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司

中文资料: 26365条

无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年,长期致力于功率半导体器件国产化替代进口,拥有isc和iscsemi两个品牌,获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累,提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块,并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品,同时也销售