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STW24NM65N中文资料
STW24NM65N产品属性
- 类型
描述
- 型号
STW24NM65N
- 功能描述
MOSFET N-channel 650V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
TO-247 |
65400 |
||||
ST/意法 |
24+ |
TO-247-3 |
25 |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
|||
ST/意法 |
17+ |
TO247 |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
|||
ST专家 |
2021+ |
TO247 |
6800 |
原厂原装,欢迎咨询 |
|||
ST |
10+ |
TO-247 |
27000 |
绝对原装现货,价格优势! |
|||
ST |
24+ |
TO-247-3 |
600 |
||||
ST |
23+ |
TO-247 |
8795 |
||||
ST |
24+ |
TO-247 |
3000 |
全新原装环保现货 |
|||
STMicro. |
23+ |
TO-247 |
7750 |
全新原装优势 |
|||
ST |
24+ |
TO-247-3 |
600 |
原装现货假一罚十 |
STW24NM65N 价格
参考价格:¥56.2191
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- GRM188R70J224KA88J
- GRM188R70J474KA01
- GRM188R70J474KA01D
- GRM188R70J474KA01J
- HIF3BD-16PA-2.54DS
- HIF3BD-16PA-2.54DSA
- HTK-63V121MIEEQ-R5
- HTK-63V121MIEE-R5
- NT5TU64M8EG-ACNA
- PST87XA
- PST87XR
- PST87XX
- SMB8J7.0CA
- SMB8J7.5CA
- SMCJ22C
- STD01W-I
- VTC12SZ
- VTC15SA
- VTC15SB
- VTC15SZ
Datasheet数据表PDF页码索引
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年,长期致力于功率半导体器件国产化替代进口,拥有isc和iscsemi两个品牌,获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累,提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块,并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品,同时也销售