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STW20NM65N中文资料

厂家型号

STW20NM65N

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351.83Kbytes

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2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet

数据手册

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生产厂商

ISC

STW20NM65N数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Drain Current -ID= 19A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 0.19Ω(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·Motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

STW20NM65N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STW20NM65N

  • 功能描述

    MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-7 10:31:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
22+
TO2473
9000
原厂渠道,现货配单
ST
25+
TO-247
12300
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