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STP7NM60N数据手册规格书PDF详情
FEATURES
• Drain Current –ID= 5A@ TC=25℃
• Drain Source Voltage-
: VDSS= 600V(Min)
• Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 900mΩ (Max)
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
• Switching application
STP7NM60N产品属性
- 类型
描述
- 型号
STP7NM60N
- 功能描述
MOSFET N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A Second Gen Mdmesh
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
* |
4000 |
原装原厂代理 可免费送样品 |
|||
ST/进口原 |
17+ |
TO-220 |
6200 |
||||
ST |
24+ |
TO-220 |
15000 |
原装现货热卖 |
|||
ST全系列 |
25+23+ |
TO-220 |
26466 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
ST |
20+ |
TO-220 |
38560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
ST |
2022+ |
100 |
全新原装 货期两周 |
||||
STMicroelectronics |
24+ |
只做原装 |
5850 |
进口原装假一赔百,现货热卖 |
|||
ST |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
ST/意法 |
23+ |
TO-220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
ST |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
STP7NM60N 价格
参考价格：￥6.2869
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- WRGBU610
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
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无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
