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STP4NB80中文资料

厂家型号

STP4NB80

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2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

MOSFET RO 512-FQP4N80 3/05

数据手册

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生产厂商

ISC

STP4NB80数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Drain Current -ID= 4.0A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS=800V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance;

-RDS(on) = 3.3Ω(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·Motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

STP4NB80产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STP4NB80

  • 功能描述

    MOSFET RO 512-FQP4N80 3/05

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-15 20:18:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
25+
TO220F
20300
ST/意法原装特价STP4NB80FP即刻询购立享优惠#长期有货
ST
24+
TO-220
71
ST
2015+
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STM
24+
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1000
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24+
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