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STP4N150中文资料

厂家型号

STP4N150

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332.43Kbytes

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2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

MOSFET PowerMESH MOSFET

数据手册

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生产厂商

ISC

STP4N150数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

·Drain Current : ID= 4A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage

: VDSS= 1500V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 7Ω(Max) @ VGS= 10V

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

·motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

STP4N150产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STP4N150

  • 功能描述

    MOSFET PowerMESH MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-23 18:05:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
原厂
23+
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1000
TO-220-3
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STP4N150 价格

参考价格:¥20.1559

型号:STP4N150 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STP4N150多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STP4N150批发/采购报价,STP4N150行情走势销售排排榜,STP4N150报价。

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