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STP45NE06数据手册规格书PDF详情
FEATURES
·Drain Current -ID= 45A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance；
-RDS(on) = 28mΩ(Max)@VGS= 10V
DESCRIPTION
·Motor drive, DC-DC converter, power switch
and solenoid drive.
STP45NE06产品属性
- 类型
描述
- 型号
STP45NE06
- 功能描述
MOSFET N-CH 60V 45A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-7-31 16:18:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
TO220 |
6996 |
只做原装正品现货 |
|||
ST |
17+ |
TO-220 |
6200 |
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ST |
23+ |
TO-220 |
8795 |
||||
ST |
05+ |
TO-220 |
10000 |
全新原装 绝对有货 |
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ST |
24+ |
TO-220 |
2500 |
原装现货热卖 |
|||
ST |
24+ |
N/A |
5100 |
||||
ST |
24+ |
TO-220 |
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ST全系列 |
25+23+ |
TO-220 |
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STM |
1815+ |
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ST |
24+ |
TO-220 |
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- P103
Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
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无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
