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STP10NM60ND中文资料

厂家型号

STP10NM60ND

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2

功能描述

Isc N-Channel MOSFET Transistor

MOSFET N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR

数据手册

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生产厂商

ISC

STP10NM60ND数据手册规格书PDF详情

• FEATURES

• With TO-220 package

• Low input capacitance and gate charge

• Low gate input resistance

• 100 avalanche tested

• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

• APPLICATIONS

• Switching applications

STP10NM60ND产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STP10NM60ND

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-26 16:36:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
2025+
TO220
5000
原装进口,免费送样品!
ST/意法半导体
22+
TO-220-3
6000
原装正品现货 可开增值税发票
ST
25+
TO220
50
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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STP10NM60ND 价格

参考价格:¥7.5700

型号:STP10NM60ND 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STP10NM60ND多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STP10NM60ND批发/采购报价,STP10NM60ND行情走势销售排排榜,STP10NM60ND报价。

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