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STI8N65M5中文资料
STI8N65M5数据手册规格书PDF详情
FEATURES
• Drain Current –ID= 7A@ TC=25℃
• Drain Source Voltage-
: VDSS= 650V(Min)
• Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 60mΩ (Max)
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
• Switching application
STI8N65M5产品属性
- 类型
描述
- 型号
STI8N65M5
- 功能描述
MOSFET N-channel 650 V 0.56 Ohm, 7A MDmesh
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
TO-262 |
8650 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
STM原厂目录 |
24+ |
I2PAK |
28500 |
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售 |
|||
ST |
23+ |
TO-262 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
ST |
22+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
ST |
23+ |
TO-262 |
2555 |
原厂原装正品 |
|||
ST |
23+ |
BGA |
16900 |
正规渠道,只有原装! |
|||
ST |
24+ |
BGA |
200000 |
原装进口正口,支持样品 |
|||
ST |
24+ |
BGA |
200000 |
原装进口正口,支持样品 |
|||
ST |
24+ |
BGA |
16900 |
支持样品,原装现货,提供技术支持! |
|||
ST |
25+ |
BGA |
16900 |
原装，请咨询 |
STI8N65M5 价格
参考价格：￥10.3627
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- STP10NM60N
- STP5NM60
- STP7NM60N
- STP8NM50N
- STP8NM60
- STP8NM60FP
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- STP9NM40N
- STP9NM60N
- WRGBU606
- WRGBU608
- WRGBU610
- XISO1640BDR
- XISO1640BQDRQ1
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- P98
Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
中文资料: 26553条
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
