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STF9NM50N中文资料
STF9NM50N数据手册规格书PDF详情
FEATURES
·Drain Current -ID= 7.5A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 0.26Ω(Max)@VGS= 10V
DESCRIPTION
·Motor drive, DC-DC converter, power switch
and solenoid drive.
STF9NM50N产品属性
- 类型
描述
- 型号
STF9NM50N
- 功能描述
MOSFET N Ch 500V 0.47 Ohm 7.5A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-5-11 15:30:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
TO-220-3 |
1000 |
||||
STMicro. |
23+ |
TO-220FP |
7750 |
全新原装优势 |
|||
ST |
24+ |
08+ |
1 |
原装现货假一罚十 |
|||
ST |
17+ |
TO-220F |
6200 |
||||
ST |
20+ |
TO-220F |
38560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
ST |
2447 |
TO-220F |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
ST/意法 |
23+ |
TO-220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
ST |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
TH/韩国太虹 |
2048+ |
TO-220F |
9851 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
ST |
17+ |
TO-220F |
160 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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- 395-056-558-201
- J96048822N28221
- KGS51-R/K
- KGS51-R/Q
- KGS51-RB
- KGS51-RB/K
- LWTN-2AD0/Q
- MEWT-316-V/Q
- SPF1-BP-20201A-1-W1
- SPF1-BP-20202A-1-1-BX
- SPF1-BP-20203A-1-1-BX
- SPF1-BP-20204-A-1-1-BX
- SPF1-BP-20211A-1-1-BX
- SPF1-BP-20211A-1-W1
- SPF1-BP-20212A-1-1-BX
- SPF1-BP-20213A-1-1-BX
- SPF1-BP-20214-A-1-1-BX
- SQG22P2C07
- SQG22P2C071
- SQG22P2C16
- SQG22P2C161
- SQG22P2C17
- SQG22P2C171
- SQG22P2C27
- SQG22P2C271
- SQG22P2C38
- SQG22P2C381
- SQG22P2C48
- STP9NM50N
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- P95
- P96
- P97
Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
中文资料: 26304条
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
