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ST26025A中文资料
ST26025A数据手册规格书PDF详情
DESCRIPTION
• Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -100V(Min.)
• High DC Current Gain- : hFE= 750(Min.)@IC= -10A
• Low Collector Saturation Voltage- : VCE (sat)= -3.0V(Max.)@ IC= -20A
APPLICATIONS
• Designed for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.
ST26025A产品属性
- 类型
描述
- 型号
ST26025A
- 功能描述
两极晶体管 - BJT PWR BIP/S.SIGNAL
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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DIE |
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SITRONIX |
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ST26025A 价格
参考价格：￥12.6814
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- P101
- P102
Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
中文资料: 27261条
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
