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SPP17N80C3中文资料
SPP17N80C3数据手册规格书PDF详情
• DESCRIPTION
• High peak current capability
• Ultra low gate charge
• Ultra low effective capacitances
• FEATURES
• Static drain-source on-resistance:
RDS(on) ≤0.29Ω
• Enhancement mode
• Fast Switching Speed
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
SPP17N80C3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SPP17N80C3
- 功能描述
MOSFET COOL MOS N-CH 800V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
23+ |
TO-220 |
40000 |
原装正品公司现货 |
|||
INFINEON |
23+ |
TO-220 |
32457 |
原装正品现货当天发货提供BOM |
|||
Infineon Technologies |
24+ |
PG-TO220-3-1 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-220-3 |
10000 |
只做原装欢迎含税交易,假一赔十,放心购买 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-220 |
18189 |
原装进口假一罚十 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-220 |
3580 |
原装现货/15年行业经验欢迎询价 |
|||
INFINEON |
20+ |
TO-220 |
50000 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
2020+ |
TO-220 |
44000 |
原装正品现货，诚信经营。假一罚十 |
|||
英飞凌 |
23+ |
TO-220 |
20000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-220-3 |
2000 |
原装正品!!!优势库存!0755-83210901 |
SPP17N80C3XKSA1 价格
参考价格：￥16.9223
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- HI82T04W500MDC5
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- PEWSP1008
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- P97
Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
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无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
