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SPI11N60C3中文资料
SPI11N60C3数据手册规格书PDF详情
• DESCRITION
• Ultra low gate charge
• High peak current capability
• Improved transconductance
• FEATURES
• Static drain-source on-resistance:
RDS(on) ≤0.38Ω
• Enhancement mode
• Fast Switching Speed
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
SPI11N60C3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SPI11N60C3
- 功能描述
MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX 650V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-10-7 23:00:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
7128 |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
|||
INFINEON |
23+ |
TO262 |
6996 |
只做原装正品现货 |
|||
INF |
23+ |
TO-220 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
INF |
25+ |
TO262 |
2568 |
原装优势!绝对公司现货 |
|||
INFINEON |
23+ |
TO-262 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
INFINEON |
23+ |
TO-262 |
5000 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-262 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2447 |
TO262 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
TO-262 |
30000 |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
TO262 |
1709 |
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Datasheet数据表PDF页码索引
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