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SIHD4N80E中文资料

厂家型号

SIHD4N80E

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2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

SIHD4N80E数据手册规格书PDF详情

·FEATURES

·Drain Current –ID= 4.3A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage-

: VDSS= 800V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) : 1.27Ω(Max)

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

·DESCRITION

·Ultra Low On-resistance

·Fast Switching

更新时间:2025-12-1 14:14:00
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