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SIHB8N50D中文资料

厂家型号

SIHB8N50D

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2

功能描述

iscN-Channel MOSFET Transistor

MOSFET 500V 850mOhms@10V 8.7A N-Ch D-SRS

数据手册

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生产厂商

ISC

SIHB8N50D产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIHB8N50D

  • 功能描述

    MOSFET 500V 850mOhms@10V 8.7A N-Ch D-SRS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-12 14:02:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
2022+
TO-263
50000
原厂代理 终端免费提供样品
VISHAY/威世
22+
TO-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
VISHAY/威世
20+
TO-263
7500
现货很近!原厂很远!只做原装
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