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RJK6002DPD中文资料

厂家型号

RJK6002DPD

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2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

数据手册

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生产厂商

ISC

RJK6002DPD数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Drain Current -ID= 2A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 6.8Ω(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·DC-to-DC Converter

·General Industrial Applications

·Power Motor Control

RJK6002DPD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJK6002DPD

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

更新时间:2025-12-17 14:02:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
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