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RJ1P12BBD中文资料

厂家型号

RJ1P12BBD

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2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

RJ1P12BBD数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Drain Current -ID= 120A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 5.8mΩ(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·DC-to-DC Converter

·General Industrial Applications

·Power Motor Control

更新时间:2026-1-29 11:06:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
N/A
78000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
NK/南科功率
2025+
TO-263-2
986966
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ROHM/罗姆
2511
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