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R6507END3中文资料

厂家型号

R6507END3

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2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

R6507END3数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Drain Current -ID= 7A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 0.67Ω(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·DC-to-DC Converter

·General Industrial Applications

·Power Motor Control

更新时间:2025-10-17 17:21:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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