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PHX8NQ11T中文资料
PHX8NQ11T数据手册规格书PDF详情
FEATURES
·Drain Current -ID= 8A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage -VDSS= 110V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 0.18Ω(Max)@VGS= 10V
DESCRIPTION
·DC-to-DC Converter
·General Industrial Applications
·Power Motor Control
PHX8NQ11T产品属性
- 类型
描述
- 型号
PHX8NQ11T
- 功能描述
MOSFET TRENCHMOS(TM) FET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-8-1 9:06:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
25+ |
TO-220F |
20300 |
NXP/恩智浦原装特价PHX8NQ11T即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
PH |
24+ |
SOT186ATO-220F |
8866 |
||||
恩XP |
23+ |
TO-220FT |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-220 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
恩XP |
2022+ |
SOT186AT |
12888 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
|||
N |
23+ |
TO-220F |
6000 |
原装正品，支持实单 |
|||
N |
22+ |
TO-220F |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
N |
25+ |
TO-TO-220F |
37650 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
恩XP |
23+ |
TO2203 Isolated Tab |
8000 |
只做原装现货 |
|||
恩XP |
23+ |
TO2203 Isolated Tab |
7000 |
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- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
- P103
Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
中文资料: 27299条
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
