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PHU66NQ03LT中文资料

厂家型号

PHU66NQ03LT

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2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

MOSFET MOSFET

数据手册

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生产厂商

ISC

PHU66NQ03LT数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Drain Current -ID= 66A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 25V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 10.5mΩ(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·DC-to-DC Converter

·General Industrial Applications

·Power Motor Control

PHU66NQ03LT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PHU66NQ03LT

  • 功能描述

    MOSFET MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-17 10:02:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
17+
SOT533TO-251
31518
原装正品 可含税交易
PH
24+
SOT533TO-251
8866
恩XP
23+
TO-251
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
恩XP
18+
TO-251
41200
原装正品,现货特价
PHI
23+
TO251
50000
全新原装正品现货,支持订货
PHI
22+
TO-251
100000
代理渠道/只做原装/可含税
PHI
2023+环保现货
TO-251
18000
专注军工、汽车、医疗、工业等方案配套一站式服务
PHI
23+
TO-251
89630
当天发货全新原装现货
PHI
24+
NA/
4350
原厂直销,现货供应,账期支持!
PH
2023+
TO-251
50000
原装现货

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