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PHD66NQ03LT中文资料
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FEATURES
·Drain Current -ID= 66A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage -VDSS= 25V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 11mΩ(Max)@VGS= 10V
DESCRIPTION
·DC-to-DC Converter
·General Industrial Applications
·Power Motor Control
PHD66NQ03LT产品属性
- 类型
描述
- 型号
PHD66NQ03LT
- 功能描述
两极晶体管 - BJT TAPE13 MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
更新时间：2025-5-30 15:01:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
24+ |
5000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
||||
恩XP |
17+ |
SOT428TO-252 |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
|||
PHI |
2405+ |
TO-252 |
4475 |
只做原装正品渠道订货 |
|||
恩XP |
24+ |
TO-252 |
504366 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
|||
24+ |
3000 |
公司存货 |
|||||
恩XP |
24+ |
TO-252 |
5989 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
|||
恩XP |
23+ |
TO252 |
20500 |
原装正品,假一罚十 |
|||
恩XP |
16+ |
NA |
8800 |
诚信经营 |
|||
恩XP |
2016+ |
TO252 |
6000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
PHI |
23+ |
TO2522 |
8890 |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
PHD66NQ03LT 价格
参考价格：￥1.9500
型号：PHD66NQ03LT 品牌：NXP/PHILIPS 备注：这里有PHD66NQ03LT多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，PHD66NQ03LT批发/采购报价，PHD66NQ03LT行情走势销售排排榜，PHD66NQ03LT报价。
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
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无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
