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PHD63NQ03LT中文资料

厂家型号

PHD63NQ03LT

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299.57Kbytes

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2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

MOSFET TAPE13 PWR-MOS

数据手册

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生产厂商

ISC

PHD63NQ03LT数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Drain Current -ID= 69A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 13mΩ(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·DC-to-DC Converter

·General Industrial Applications

·Power Motor Control

PHD63NQ03LT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PHD63NQ03LT

  • 功能描述

    MOSFET TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-10 17:40:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEXPERIA/安世
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