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NP32N055SLE中文资料
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FEATURES
·Drain Current -ID= 32A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 24mΩ(Max)@VGS= 10V
DESCRIPTION
·Motor drive, DC-DC converter, power switch
and solenoid drive.
NP32N055SLE产品属性
- 类型
描述
- 型号
NP32N055SLE
- 功能描述
MOSFET N-CH 55V 32A TO-252
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
-
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas(瑞萨) |
23+ |
标准封装 |
7813 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
NEC |
08+(pbfree) |
TO-252 |
8866 |
||||
NEC |
1415+ |
TO-252 |
28500 |
全新原装正品,优势热卖 |
|||
RENESAS |
24+ |
TO-252 |
5000 |
只做原装公司现货 |
|||
Renesas |
19+ |
TO-252 |
87429 |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂; |
|||
Renesas |
1822+ |
TO-252 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
NEC |
6000 |
面议 |
19 |
TO-252 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
18+ |
TO-252 |
41200 |
原装正品,现货特价 |
|||
R |
23+ |
TO-252 |
35628 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
原厂 |
2020+ |
TO-252 |
20000 |
公司代理品牌,原装现货超低价清仓! |
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- 1419176
- 1419178
- 1634397
- 2003N
- AAT2552
- AAT2552IRN-CAE-T1
- AAT3125
- AAT3125ISN-T1
- AFE781H1_V02
- AFE781H1RRUT
- B41888C5188M000
- B41888C5188M001
- B41888C5188M002
- B41888C5188M003
- B41888C5188M004
- B41888C5188M009
- B41888C5188M012
- NP32N055SDE
- NP32N055SHE
- SN74ACT573NSR
- SN74ACT573-Q1
- SN74ACT573-Q1_V01
- TL074B
Datasheet数据表PDF页码索引
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年,长期致力于功率半导体器件国产化替代进口,拥有isc和iscsemi两个品牌,获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累,提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块,并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品,同时也销售