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NDB6030L中文资料
NDB6030L数据手册规格书PDF详情
FEATURES
·Drain Current -ID= 52A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 13.5mΩ(Max)@VGS= 10V
DESCRIPTION
·Motor drive, DC-DC converter, power switch
and solenoid drive.
NDB6030L产品属性
- 类型
描述
- 型号
NDB6030L
- 功能描述
MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
23+ |
TO-263AB |
7793 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
ON/安森美 |
2024 |
TO-263 |
505348 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力高端行业供应商 |
|||
24+ |
3000 |
公司存货 |
|||||
FAIRCHILD |
24+ |
原封装 |
320 |
原装现货假一罚十 |
|||
FAIRCHILD |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
FAIRCHILD |
1998 |
TO263 |
100 |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
|||
FSC |
1715+ |
SOP |
251156 |
只做原装正品现货假一赔十! |
|||
NS |
24+ |
TO-263 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
|||
NS |
6000 |
面议 |
19 |
TO263 |
|||
FAIR |
02+ |
TO-263 |
780 |
库存刚更新加微13425146986 |
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Datasheet数据表PDF页码索引
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年,长期致力于功率半导体器件国产化替代进口,拥有isc和iscsemi两个品牌,获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累,提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块,并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品,同时也销售