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MTV6N100E中文资料

厂家型号

MTV6N100E

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2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 1.5 OHM

数据手册

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生产厂商

ISC

MTV6N100E数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Drain Current -ID= 6A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 1000V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 1.5Ω(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·Motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

MTV6N100E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MTV6N100E

  • 制造商

    MOTOROLA

  • 制造商全称

    Motorola, Inc

  • 功能描述

    TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 1.5 OHM

更新时间:2025-10-31 16:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
N/A
2480
ADI/亚德诺
2511
原封装
66900
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
ADI/亚德诺
23+
QFN
50000
全新原装正品现货,支持订货
ADI
23+
QFN
8000
只做原装现货
RAONTECH
23+
QFN40
12500
一级代理,原装现货,价格优势
RAONTECH
2022+
QFN40
3000
原厂代理 终端免费提供样品
RAONTECH
23+
QFN
15800
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
RAONTECH
14+
QFN
100
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RAONTECH
22+
QFN40
100000
代理渠道/只做原装/可含税
RAONTECH
23+
QFN-40
89630
当天发货全新原装现货

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