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MN638S中文资料

厂家型号

MN638S

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312.1Kbytes

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2

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

MN638S数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

·Collector–Emitter Sustaining Voltage

VCEO: 380V(Min)

·Low Collector Saturation Voltage

: VCE(sat) =1.5V(Max.)@ IC= 4A

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

·Designed for high voltage and general purpose applications.

更新时间:2026-1-28 17:02:00
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