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MJD45H11中文资料

厂家型号

MJD45H11

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3

功能描述

isc Silicon PNP Power Transistors

两极晶体管 - BJT 8A 80V 20W PNP

数据手册

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生产厂商

ISC

MJD45H11数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

• Low Collector-Emitter Saturation Voltage : VCE(sat)= 1.0V(Max)@ IC = 8A

• Fast Switching Speeds

• Complement to Type MJD44H11

• DPAK for Surface Mount Applications

• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

APPLICATIONS

• Designed for general pourpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators,converters and power amplifier.

MJD45H11产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJD45H11

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 8A 80V 20W PNP

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-14 16:10:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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MJD45H11TM 价格

参考价格:¥1.4807

型号:MJD45H11TM 品牌:Fairchild 备注:这里有MJD45H11多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,MJD45H11批发/采购报价,MJD45H11行情走势销售排排榜,MJD45H11报价。

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