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MJD253-251中文资料

厂家型号

MJD253-251

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2

功能描述

Silicon PNP Power Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

MJD253-251数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

· Collector-Emitter Breakdown Voltage

-V(BR)CEO= -100V(Min)

· Collector-Emitter Saturation Voltage

-VCE(sat):= -0.3V(Max) @IC= -0.5A

APPLICATIONS

· Designed for low power audio amplifier and low-current,

high-speed switching applications

更新时间:2025-8-10 9:31:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI/安森美
2025+
TO-252
32000
原装正品现货供应商原厂渠道物美价优
ON
24+
TO-252
36800
ON
23+
TO-252
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
MOT
25+23+
TO-252
14781
绝对原装正品全新进口深圳现货
ONFAI
23+
TO-252
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24+
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8000
原装正品价格优势!欢迎询价QQ:385913858TEL:15
MOTOROLA/摩托罗拉
23+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货
ON/安森美
2022+
15000
原厂代理 终端免费提供样品
ON/安森美
23+
DPAK4LEADSingleG
13000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
MOT
97+
TO-252
270
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

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