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MJD128中文资料

厂家型号

MJD128

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2

功能描述

Silicon PNP Power Transistor

Complementary Darlington Power Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

MJD128数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

·High DC Current Gain-

: hFE = 1000(Min)@ IC= -4A

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: VCEO(SUS) = -120V(Min)

APPLICATIONS

·Designed for general purpose amplifier

and low speed switching applications.

MJD128产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJD128

  • 制造商

    ONSEMI

  • 制造商全称

    ON Semiconductor

  • 功能描述

    Complementary Darlington Power Transistor

更新时间:2026-1-27 14:46:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
TO-252
2669
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
NK/南科功率
2025+
TO-252
2500
国产南科平替供应大量
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MJD128T4G 价格

参考价格:¥1.4626

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