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MJ802G中文资料

厂家型号

MJ802G

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2

功能描述

Silicon NPN Power Transistor

两极晶体管 - BJT 30A 90V 200W NPN

数据手册

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生产厂商

ISC

MJ802G数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

· Collector-Emitter Breakdown Voltage

-V(BR)CEO= 90V(Min)

· Collector-Emitter Saturation Voltage

-VCE(sat):0.8V(Max) @IC= 7.5A

APPLICATIONS

· Designed for use as an output device in complementary

audio amplifiers to 100-Watts music power per channel.

MJ802G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJ802G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 30A 90V 200W NPN

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-2-1 22:59:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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MJ802G 价格

参考价格:¥12.2973

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