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MDD4N20YRH中文资料

厂家型号

MDD4N20YRH

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351.95Kbytes

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2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

MDD4N20YRH数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Drain Current : ID= 3A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage

: VDSS= 200V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 1.35Ω(Max) @VGS= 10V

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

DESCRIPTION

·motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

更新时间:2025-12-9 15:31:00
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