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KSH45H11I中文资料

厂家型号

KSH45H11I

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4

功能描述

PNP Epitaxial Silicon Transistor

两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil

数据手册

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生产厂商

ISC

KSH45H11I数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage

-V(BR)CEO= -80V(Min)

·Collector-Emitter Saturation Voltage

-VCE(sat)= -1.0V(Max) @IC=-8A

APPLICATIONS

·Switching Regulators

·Converters

·Power Amplifiers

KSH45H11I产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    KSH45H11I

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-13 13:36:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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KSH45H11ITU 价格

参考价格:¥1.2300

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