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KSE45H11中文资料

厂家型号

KSE45H11

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2

功能描述

isc Silicon PNP Power Transistor

两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil

数据手册

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生产厂商

ISC

KSE45H11数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage

: V(BR)CEO= -80V(Min)

·High DC Current Gain

: hFE= 60(Min)@ (VCE= -1V, IC= -2A)

·Low Saturation Voltage-

: VCE(sat)= -1.0V(Max)@ (IC= -8A, IB= -0.4A)

·Complement to Type KSE44H11

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

·Designed for use as a driver in DC/DC converters and

actuators.

KSE45H11产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    KSE45H11

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-11-1 8:12:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
TO-220
1753
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KSE45H11TU 价格

参考价格:¥1.5426

型号:KSE45H11TU 品牌:Fairchild 备注:这里有KSE45H11多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,KSE45H11批发/采购报价,KSE45H11行情走势销售排排榜,KSE45H11报价。

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