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K3569中文资料

厂家型号

K3569

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2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

K3569数据手册规格书PDF详情

·FEATURES · Drain-source on-resistance:

RDS(on) ≤ 0.52Ω@10V ·Low leakage current:

IDSS <100 µA @VDS = 500 V ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

·APPLICATIONS ·Switching Regulator Applications

更新时间:2026-3-8 11:04:00
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