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IXYH50N120C3D1中文资料
IXYH50N120C3D1数据手册规格书PDF详情
DESCRIPTION
· High Current Handling Capability
· Positive Thermal Coefficient of Vce(sat)
· Anti-Parallel Ultra Fast Diode
· Optimized for Low Switching Losses
APPLICATIONS
· High Power Density
· Low Gate Drive Requirement
IXYH50N120C3D1产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXYH50N120C3D1
- 功能描述
IGBT 晶体管 XPT 1200V IGBT GenX6 XPT IGBT
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Littelfuse/IXYS |
24+ |
TO-247 |
928 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
IXYS |
24+ |
TO-247-3 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
IXYS |
23+ |
TO-247 |
10000 |
全新、原装 |
|||
IXYS |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
|||
IXYS |
2447 |
TO-247AD |
105000 |
30个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
|||
IXYS |
1809+ |
TO-247 |
326 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
IXYS |
22+ |
TO247 (IXYH) |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IXYS |
21+ |
TO247 (IXYH) |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
|||
IXYS |
25+ |
IGBT |
210 |
原厂原装,价格优势 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
IXYH50N120C3D1 |
10133 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
IXYH50N120C3D1 价格
参考价格:¥27.6507
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- ATS-18B-181-C1-R0
- ATS-18B-183-C1-R0
- ATS-18B-188-C1-R0
- BZX84C4V3W
- CLB2E5C8R2K1000TC1_V02
- DB202
- DF156S
- GQM22M5C2H6R8BB01
- GQM22M5C2H6R8BB01-01A
- GQM22M5C2H6R8CB01
- GQM22M5C2H6R8CB01-01A
- GQM22M5C2H6R8DB01
- GQM22M5C2H6R8DB01-01A
- GQM22M5C2H6R8WB01
- GQM22M5C2H6R8WB01-01A
- NP84N04MHE
- PD60-1060
- PD60-1-1060
- PD60-2-1060
- PD60-3-1060
- PD60-4-1060
- PTH05010
- TCR5BM20A
- TLV1821LDBVR
- TLV1821-Q1
Datasheet数据表PDF页码索引
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年,长期致力于功率半导体器件国产化替代进口,拥有isc和iscsemi两个品牌,获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累,提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块,并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品,同时也销售