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IXTN110N20L2中文资料
IXTN110N20L2数据手册规格书PDF详情
DESCRIPTION
· Drain Current -ID= 100A@ TC=25℃
· Drain Source Voltage
-VDSS= 200V(Min)
· Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 24mΩ(Max)@VGS= 10V
APPLICATIONS
· DC-DC converter
· Battery Chargers
· High Speed Power Switching Applications
IXTN110N20L2产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXTN110N20L2
- 功能描述
MOSFET 100Amps 200V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2026-5-13 17:16:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
19+/20+ |
SOT-227B |
1000 |
主打产品价格优惠.全新原装正品 |
|||
IXYS |
25+ |
SOT-227 |
96 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
IXYS |
22+ |
SOT2274 miniBLOC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
德国艾赛斯 |
2022+ |
IGBT 模块 |
35000 |
只做原装，可提供样品 |
|||
IXYS |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
|||
26+ |
N/A |
76000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
SOT-227 |
325680 |
原装正品 华强现货 |
|||
IXYS |
24+ |
MODULE |
1000 |
全新原装现货 |
|||
IXYS(艾赛斯) |
25+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
|||
IXYS |
23+ |
模块 |
130 |
全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势! |
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