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IXTH3N100中文资料

厂家型号

IXTH3N100

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322.3Kbytes

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2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

MOSFET 3 Amps 1000V

数据手册

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生产厂商

ISC

IXTH3N100数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Drain Current -ID= 3.0A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 1000V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 4.8Ω(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·Motor drive, DC-DC converter, power switch

and AC-DC motor controls

IXTH3N100产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXTH3N100

  • 功能描述

    MOSFET 3 Amps 1000V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-31 14:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
17+
TO-247
31518
原装正品 可含税交易
IXYS
20+
TO-247
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
IXYS
25+
TO-247
1675
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IXYS/艾赛斯
23+
TO-247
50000
全新原装正品现货,支持订货
IXYS/艾赛斯
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65000
原装正品 华强现货
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IXYS(艾赛斯)
25+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS
24+
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TO-247
50000
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