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IXSN80N60BD1中文资料
IXSN80N60BD1数据手册规格书PDF详情
DESCRIPTION
· Isolation voltage 3000 V~
· Low VCE(sat)
· Fast Recovery Epitaxial Diode
APPLICATIONS
· AC motor speed control
· DC choppers
· Uninterruptible power supplies (UPS)
IXSN80N60BD1产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXSN80N60BD1
- 功能描述
IGBT 晶体管 160 Amps 600V 2.5 Rds
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
更新时间：2025-7-31 13:01:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
19+/20+ |
SOT-227B |
1000 |
主打产品价格优惠.全新原装正品 |
|||
IXYS |
10+ |
主营模块 |
85 |
原装正品,公司正品供应 |
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IXYS |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
IXYS |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
18+ |
MODULE |
70 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
IXYS |
22+ |
SOT227B |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IXYS |
115 |
公司优势库存 热卖中!! |
|||||
IXYS |
22+ |
SOT227 |
8000 |
原装正品支持实单 |
|||
IXYS |
23+ |
SOT227B |
9000 |
原装正品，支持实单 |
|||
IXYS |
2405+ |
原厂封装 |
5000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83273363邹小姐 |
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
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无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
