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IXFM12N90中文资料

厂家型号

IXFM12N90

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2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

MOSFET 12 Amps 900V 0.9 Rds

数据手册

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生产厂商

ISC

IXFM12N90数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Drain Current : ID= 12A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage

: VDSS= 900V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 0.8Ω(Max)

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

·Switching applications

IXFM12N90产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFM12N90

  • 功能描述

    MOSFET 12 Amps 900V 0.9 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-2-5 11:10:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
23+
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IXYS
24+
TO-3
536
IXYS
05+
原厂原装
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