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IXFE180N20中文资料

厂家型号

IXFE180N20

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3

功能描述

N-Channel MOSFET Transistor

MOSFET 180 Amps 200V 0.01 Rds

数据手册

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生产厂商

ISC

IXFE180N20数据手册规格书PDF详情

FEATURES

· Drain Current -ID= 158A@ TC=25℃

· Drain Source Voltage -VDSS= 200V(Min)

· Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 12mΩ(Max)@VGS= 10V

APPLICATIONS

· Battery Chargers

· DC Choppers

· Power Factor Correction (PFC)

· DC-DC Converters

· High Speed Power Switching Application

IXFE180N20产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFE180N20

  • 功能描述

    MOSFET 180 Amps 200V 0.01 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-3 8:33:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
19+/20+
SOT-227B
1000
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9000
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5000
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IXYS
22+
MODULE
8000
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23+
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10000
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