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IXFA6N120P中文资料
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FEATURES
·Drain Current : ID= 6A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage
: VDSS= 1200V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 2.4Ω(Max) @ VGS= 10V
·100 avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
DESCRIPTION
·motor drive, DC-DC converter, power switch
and solenoid drive.
IXFA6N120P产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXFA6N120P
- 功能描述
MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-263 |
65493 |
原装正品 华强现货 |
|||
IXYS |
23+ |
TO-263-3 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
IXYS |
1809+ |
TO-263 |
326 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
IXYS |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
IXYS |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-263 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
IXYS |
23+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原装正品，支持实单 |
|||
IXYS |
18+ |
TO-263 |
595 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-263 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
|||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
IXFA6N120P 价格
参考价格：￥24.7401
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- A10542-R-NMCGK
- A10542-R-NMC-QK
- ATS-15B-36-C3-R0
- C2220C164KFRLCAUTO
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- DS1E-M-DC48V
- HDH-03010GID
- HR25-9TJ-20PC
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- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
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无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
