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芯片资料

精确

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• DESCRITION

• Improved Transconductance

• FEATURES

• Static drain-source on-resistance:

RDS(on)≤190mΩ

• Enhancement mode:

• 100 avalanche tested

• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

ISPW21N50C3供应商...

更新时间：2025-10-6 9:30:00

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