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ISPP11N60CFD中文资料
ISPP11N60CFD数据手册规格书PDF详情
• DESCRIPTION
• Ultra low gate charge
• High peak current capability
• FEATURES
• Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤0.44Ω
• Enhancement mode
• Fast Switching Speed
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IS |
23+ |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
||||
IS |
12 |
210 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
||||
IS |
20+ |
210 |
进口原装现货,假一赔十 |
||||
ST |
24+ |
875 |
|||||
ST |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
|||||
ST |
23+ |
47403 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
||||
ST |
2023+ |
3000 |
进口原装现货 |
||||
LATTICE/莱迪斯 |
23+ |
QFN |
45718 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
LATTICE |
23+ |
NA |
25060 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
LAT |
23+ |
65480 |
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ISPP11N60CFD 芯片相关型号
- 080516VA104F4T2A
- 080550VC104K4T2A
- 08055F104K4T2A
- BZX384B3V9-G
- CAN0007DP
- CC0805CKNPO8BN121
- FS035C104KAZ2A
- GH041Z102MA6N
- HI82H05W10GFR
- HI82H05W1M1NR
- HI82H07W10GFR
- HI82H2W1TMR
- HI82H2W1TNR
- HI82T0125W110MJC5
- HI82T30W500MFE
- HX5014NL
- HX5084FNL
- M6314GSVCC
- M6314KBVCC
- MC7806CT_13
- NVS4409NT1G
- PEWCP1052
- PEWCP1062
- PEWCP1069
- PEWCT1019
- SSHB10HS-30006
- SSHB10HS-R30015
- TIP127
- VJ15MT0950K
- VJ20MT0950K
Datasheet数据表PDF页码索引
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年,长期致力于功率半导体器件国产化替代进口,拥有isc和iscsemi两个品牌,获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累,提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块,并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品,同时也销售