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ISH3N150中文资料

厂家型号

ISH3N150

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功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

ISH3N150数据手册规格书PDF详情

·FEATURES

·Drain Current –ID= 3A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage- VDSS: 1500V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance RDS(on): <7.5Ω(Max)

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

·APPLICATIONS

·High speed power switching

·Switching regulator, DC-DC converter

更新时间:2025-11-3 15:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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