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ISF1001中文资料

厂家型号

ISF1001

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310.37Kbytes

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3

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

ISF1001数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO= 450V(Min)

·Collector-Emitter Saturation Voltage-

: VCE(sat)= 1.0V(Max) @IC=1A

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

·Designed for power amplifier,high speed switching and

regulated power supply applications.

更新时间:2025-8-15 16:33:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RECTRON
23+
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10000
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