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ISB3080中文资料

厂家型号

ISB3080

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功能描述

Silicon NPN Power Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

ISB3080数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO= 60V(Min)

·Low Collector Saturation Voltage-

: VCE(sat)= 0.5V(Max)@ IC= 2A

APPLICATIONS

· Designed for DC-DC converter, emergency lighting

inverter and general purpose applications

更新时间:2025-10-10 16:14:00
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