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ISB3069中文资料

厂家型号

ISB3069

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3

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

ISB3069数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: VCEO(SUS)= 60V(Min)

·High DC Current Gain-

: hFE= 100(Min)@ (VCE= 2V, IC= 3A)

·Low Saturation Voltage-

: VCE(sat)= 0.3V(Max)@ (IC= 8A, IB= 0.4A)

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

·Designed for use as a driver in DC/DC converters and

actuators.

更新时间:2025-8-16 14:03:00
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