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IRF540Z中文资料
IRF540Z数据手册规格书PDF详情
• DESCRITION
• reliable device for use in a wide variety of applications
• FEATURES
• Static drain-source on-resistance:
RDS(on) ≤0.0265Ω
• Enhancement mode
• Fast Switching Speed
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
IRF540Z产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF540Z
- 功能描述
MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
19+ |
TO-220 |
56335 |
||||
Infineon Technologies |
24+ |
TO-220AB |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-220 |
18346 |
原装进口假一罚十 |
|||
IOR |
24+ |
TO220 |
8000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-263 |
3020 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
N/A |
12000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
IR |
22+ |
D2-PAK |
9450 |
原装正品，实单请联系 |
|||
IR |
24+ |
TO-220AB |
9300 |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
|||
INFINEON |
24+ |
TO-220 |
42000 |
原装现正品可看现货 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2021+ |
TO-220AB |
9000 |
原装现货,随时欢迎询价 |
IRF540ZSTRLPBF 价格
参考价格：￥5.0353
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- P99
- P100
Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
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无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
