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IPP60R180C7中文资料

厂家型号

IPP60R180C7

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338.76Kbytes

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2

功能描述

N-Channel MOSFET Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

IPP60R180C7数据手册规格书PDF详情

• DESCRIPTION

• Combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier

with high class innovation

• FEATURES

• Static drain-source on-resistance:

RDS(on) ≤0.18Ω

• Enhancement mode

• Fast Switching Speed

• 100 avalanche tested

• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

更新时间:2025-12-17 16:12:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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零件状态 在售 FET 类型 N 通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 13A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 180 毫欧 @ 5.3A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 260μA
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