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IPP60R099CP中文资料
IPP60R099CP数据手册规格书PDF详情
• DESCRIPTION
• Ultra low gate charge
• High peak current capability
• FEATURES
• Static drain-source on-resistance:
RDS(on) ≤0.099Ω
• Enhancement mode
• Fast Switching Speed
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
IPP60R099CP产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPP60R099CP
- 功能描述
MOSFET MOSFET N-Channel
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
10048 |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
|||
INFINEON |
23+ |
TO-220 |
3261 |
公司现货大量货源销售价格优惠! |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-220 |
16858 |
原装进口假一罚十 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO220 |
1750 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
N/A |
12000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
TO220 |
9800 |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
|||
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
25+ |
SMD |
918000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
英飞翎 |
17+ |
TO-220 |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-220 |
13500 |
全新原装现货 |
|||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
标准 |
40776 |
热卖原装进口 |
IPP60R099CPA 价格
参考价格：￥33.0877
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- EN25Q32B-104FIP
- EN25Q32B-104HIP
- EN25Q32B-104QIP
- EN25Q32B-104WIP
- EN25Q32C
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- R5F2136CMDFA
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- P96
- P97
Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
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无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
